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- 01.03.2011 16:19
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- Thema: TET1-Vorbereitung
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Re: TET1-Vorbereitung
Strömungsfelder also nicht??? Waren auch nur 2 Aufgaben.
- 27.02.2011 10:55
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- Thema: [ST - EET/AT] Fragenthread
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Re: [ST - EET/AT] Fragenthread
Ich denke mal das damit auch Schaltungen mit OPVs gemeint sind.
Kann mal einer sagen wie so ne Klausur aussieht für uns? Ähnelt die sehr den Übungsaufgaben oder sind auch Theoriefragen mit dran???
Danke schon mal
Kann mal einer sagen wie so ne Klausur aussieht für uns? Ähnelt die sehr den Übungsaufgaben oder sind auch Theoriefragen mit dran???
Danke schon mal
- 26.02.2011 10:52
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- Thema: [ST - EET/AT] Fragenthread
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Re: [ST - EET/AT] Fragenthread
Schwerpunkte: - z-Doide - Verstärkerschaltung mit Transistor - Bipolartransistor als Schalter - Schaltung mit OPV - Rückkopplungsschaltung - Schaltnetze und Schaltwerke (letzte Übung) Das heißt ja aber das MOSFET, SFET und so was gar nicht dran kommt. Nur Bipolar und OPV. Kann das jemand bestätigen?...
- 20.02.2011 16:13
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- Thema: Messtechnik Klausur
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Re: Messtechnik Klausur
Finde das die Endformel nicht stimmt. Da müsste meines Erachtens nach die 3 vom Nenner in den Zähler. Dann stimmt es.
- 03.08.2010 19:43
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- Thema: [ME] Klausur SS 2010
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Re: [ME] Klausur SS 2010
Wie ist denn nun die Punktezahl die man braucht? Die einen sagen 50/100, die anderen sagen 45/100. 5 Punkte machen doch schon viel aus bei der scheiß Klausur!
- 03.08.2010 19:41
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- Thema: [ME] Klausur 2010 Rekonstruktion
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Re: [ME] Klausur 2010 Rekonstruktion
Warum wär dann die Aufgabe quatsch??? Wenn es so ist ist es so. Da kommt es doch nicht drauf an ob die Aufgabe quatsch ist. Wenn da wC gegen unendlich gehen soll muss man das auch beachten, und dann wird Ug = 0.
Die können das doch nicht hinschreiben und dann davon ausgehen das wir das nicht beachten.
Die können das doch nicht hinschreiben und dann davon ausgehen das wir das nicht beachten.
- 03.08.2010 17:43
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- Thema: [ME] Klausur 2010 Rekonstruktion
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Re: [ME] Klausur 2010 Rekonstruktion
Ist bei dem MOSFET nicht ne Kapazität parallel zum Widerstand R2 (=R emitter) geschaltet gewesen???
Und es war doch gesagt das wC gegen unendlich geht. Dann fließt doch der ganze Strom darüber ab und nicht mehr über R2, woraus folgt das UR1 = 0 ist und Ugs = 0 ??????
Ist da was dran?????
Und es war doch gesagt das wC gegen unendlich geht. Dann fließt doch der ganze Strom darüber ab und nicht mehr über R2, woraus folgt das UR1 = 0 ist und Ugs = 0 ??????
Ist da was dran?????
- 01.08.2010 14:52
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- Thema: [ME] Klausur 31.07.2008 Lösungsdiskussion
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Re: [ME] Klausur 31.07.2008 Lösungsdiskussion
5b) find ich immernoch totaler Schwachsinn. Die wird doch genauso wie in der dritten Übung die Mittelwerte berechnet. Da kommt für Mittelwert Urv = 5,6..V raus. Und dann Rv = Mittelwert von Urv/4mA.
Dann isr Rv = 1,4..kOhm
Dann isr Rv = 1,4..kOhm
- 01.08.2010 13:44
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- Thema: [MEL] Lösung Probeklausur 2009
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Re: Lösung Probeklausur 2009
Wer kann mir denn nun mal sicher sagen welche Formel für Pv in der 5. Aufgabe die richtige ist? beim einen kommt irgendwas mit 200 mW raus, beim anderen 50 mW usw. Was ist nun richtig???
- 31.07.2010 20:03
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- Thema: [ME] Klausur 31.07.2008 Lösungsdiskussion
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Re: [ME] Klausur 31.07.2008 Lösungsdiskussion
Aufgabe 3: c) Ersatzschaltbild ist falsch. Aus Stromquellen wird im KSB ein Leerlauf, von der Diode bleibt meiner Meinung nach nur ein rz übrig und das Rce liegt zwischen Kollektor und Emitter. Aufgabe 5: b) Wird über Mittelwert der Spannung Ur(t) ausgerechnet und c) und d) hab ich auch irgendwie an...
- 27.07.2010 12:37
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- Thema: [ME] Probeklausur SS2008
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Re: [ME] Probeklausur SS2008
Auf den ersten Blick würde ich sagen du hast in deiner Formel für Id was vergessen.
Du musst Uds^2 durch 2 teilen. Dann ist es die richtige formel.
Deine Formel stimmt meines Erachtens nach nicht.
Du musst Uds^2 durch 2 teilen. Dann ist es die richtige formel.
Deine Formel stimmt meines Erachtens nach nicht.
- 27.07.2010 11:10
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- Thema: [MEL] Verständnisfragen
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Re: [MEL] Verständnisfragen
Steht auf der ersten Seite der Probeklausur.
"Für die folgenden Aufgaben wird als Halbleitermaterial Silizium bei Raumtemperatur T=300K und Störstellenerschöpfung angenommen."
"Für die folgenden Aufgaben wird als Halbleitermaterial Silizium bei Raumtemperatur T=300K und Störstellenerschöpfung angenommen."
- 27.07.2010 11:07
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- Thema: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
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Re: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
Kann mal jemand dieses Diagramm an dem sich das alles erklären lässt reinstellen? Ich krieg das nicht gezeichnet.
Danke
Danke
- 26.07.2010 13:08
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- Thema: [ME] Probeklausur SS2009
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Re: [ME] Probeklausur SS2009
Ein für die Probeklausur sehr nützlicher Link: viewtopic.php?f=40&t=7838
Da ist diese PK schon mal durchgekaut worden.
Hilft bestimmt dem ein oder anderen...
Da ist diese PK schon mal durchgekaut worden.
Hilft bestimmt dem ein oder anderen...
- 26.07.2010 13:05
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- Thema: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
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Re: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
Also ich hab die Erklärung zur a4) nicht verstanden...
Wie komm ich einfach so auf diese Maschengleichung in der ich die Spannung über den Widerständen doppelt zähle?
Sprich: Udd = 2*Urs + Udsmin + 2*Urd ???
Wie komm ich einfach so auf diese Maschengleichung in der ich die Spannung über den Widerständen doppelt zähle?
Sprich: Udd = 2*Urs + Udsmin + 2*Urd ???
- 26.07.2010 11:47
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- Thema: Mikroelektronik Zusatzaufgaben
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Re: Mikroelektronik Zusatzaufgaben
Hat immer noch keiner ne Lösung zu den Zusatzaufgaben?
- 23.07.2010 11:50
- Forum: 4. Semester: Diskussionen
- Thema: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
- Antworten: 23
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Re: [ME] Mosfet - F3 Aufgabe
In der Übung hieß es das UGS = - URs ist. URs = IDA * Rs
Kann mir das aber auch nicht erklären das UGS = -URs sein soll. Wo kommt das her?
Kann mir das aber auch nicht erklären das UGS = -URs sein soll. Wo kommt das her?
- 16.07.2010 08:49
- Forum: 4. Semester: Diskussionen
- Thema: Mikroelektronik Zusatzaufgaben
- Antworten: 2
- Zugriffe: 843
Mikroelektronik Zusatzaufgaben
Hey, hat vllt schon jemand die Zusatzaufgaben zur 4. Übung (B3 und B4) gemacht? Ich komm irgendwie nicht vorran. Bräucht mal n bissl Hilfe.
Danke schon mal.
Grüße
Danke schon mal.
Grüße
- 28.06.2010 17:02
- Forum: 2. Semester: Diskussionen
- Thema: Info Praktikum Eigenes Beispiel
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Info Praktikum Eigenes Beispiel
Hey Leute, ich bin grad dran und mach mir mein eigenes Beispiel zurecht. Mein LogikSimulator will es aber einfach nicht korrekt ausgeben. Der hat immer Probleme mit der TreeMap, da steht am Ende der Simulation nichts drin, was eigentlich nicht sein darf. Passiert aber nur beim eigenen Beispiel. Dach...
- 01.06.2010 12:56
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- Thema: Codeverständnis zum Info Praktikum
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Re: Codeverständnis zum Info Praktikum
for(Map.Entry<String, Gatter> g : gatter.entrySet()) { ((Gatter)(g.getValue())).setName(g.getKey()); } kann mir vllt jmd kurz erklären was hier in etwa passiert? ('gatter' ist eine HashMap) Bei dem Ganzen geht es wohl um eine TreeMap (wäre nett wenn ihr gleich mal erklären könntet was eine TreeMap m...
- 04.05.2010 09:54
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- Thema: Prüfungsergebnisse: ET 2 und TM 1
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Re: Prüfungsergebnisse: ET 2 und TM 1
Info 2 ist raus
- 13.02.2010 09:58
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- Thema: AT Bode Diagramme zeichnen, nur wie???
- Antworten: 7
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Re: AT Bode Diagramme zeichnen, nur wie???
Danke danke. Und wie sieht es mit Aufgabe 29 aus???
- 10.02.2010 22:26
- Forum: Nachrichtentechnik
- Thema: Skripte
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NT-Spicker
Garantiere nicht für Richtigkeit...
- 10.02.2010 22:20
- Forum: 4. Semester: Diskussionen
- Thema: AT Bode Diagramme zeichnen, nur wie???
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AT Bode Diagramme zeichnen, nur wie???
Hey hey, ich brauch unbedingt mal Hilfe bei den Aufgaben 22 und 23. Hab se eingescannt und als Pdf angehangen. Die Übertragungsfunktionen hab ich dazu geschrieben, die stimmen. Nur von den Ü-funktionen komme ich einfach nicht auf die Bodediagramme. Bitte also darum das mir mal irgendeiner der das ka...
- 21.10.2009 18:40
- Forum: Studium Allgemein: Diskussionen
- Thema: Wehrdienst
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Re: Wehrdienst
Danke erstmal. Ich werd morgen mal im Prüfungsamt nachfragen wie ich vorgehen soll. Werd ja bestimmt nicht der erste sein.