EBE Nachholklausur

Aufgaben, Lösungen, Klausuren
Benutzeravatar
shameless
Beiträge: 27
Registriert: 24.02.2005 10:35
Name: Daniel
Geschlecht: männlich
Studienrichtung: Informatik
Matrikel: 2004
Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
Wohnort: Dresden
Contact:

EBE Nachholklausur

Beitrag von shameless » 18.07.2006 10:39

Also ich weiß ned, irgendwie fand ich es gar ni soooooo schlimm. Das mit der Rho-Verteilung war ja billigstes Integrieren. Über eine Konstante (oder Konstanze?), also ein linear ansteigendes, dann weniger ansteigendes und dann abfallendes E-Feld. Phi is ja dann Phi(0) minus das Integral über den Feldstärkeverlauf...dann noch nen kleinen Wendepunkt einzeichnen und das wirft dann 20 Punkte ab? Die Formelsammlum hat mir bei der Photodiode was gebracht, nämlich um Jop mal Diodenfläche mit dem maximalen Stromfluss Uein/R zu vergleichen (Sperrspannung sollte ja 0 sein). Hab es erst mit ausgerechnet, also (Uein-0.7V)/R = 0.23mA, aber das andere (0.3mA) war wohl eher richtig. Das ergibt, wenn ich nicht total daneben liege, dann auch die maximale Beleuchtungsstärke von 1181 W/m². Oder ni?

Psychodoc
Beiträge: 938
Registriert: 12.11.2003 20:29
Contact:

EBE Nachholklausur

Beitrag von Psychodoc » 18.07.2006 11:35

[quote]also ein linear ansteigendes, dann weniger ansteigendes und dann abfallendes E-Feld. Phi is ja dann Phi(0) minus das Integral über den Feldstärkeverlauf...dann noch nen kleinen Wendepunkt einzeichnen und das wirft dann 20 Punkte ab?[/quote]
Ja, lasst uns ein wenig über den Inhalt reden... :)
E(a) sind geraden gewesen... erst Steigung 2, dann 1 und zum Schluss -2... wenn ich diese Geraden nochmal integriere komm ich auf quadratische Gleichungen die ich aneinerfüge, oder ?? Wo war da der Wendepunkt? Wendepunkte gibts doch erst ab Funktionen 3ter Ordnung ??? Wo habt ihr den Wendepunkt gefunden und wie ?
Ist das E-Feld positiv am Anfang oder negativ ? Der Verlauf vom phi(x) müsste ja mit entgegengesetzem Vorzeichen sein...

Wie habt ihr bei der 4ten Aufgabe den Mosfet bezeichnet und an welche Stellen Drain/source/Gate rangepackt ??

pax
Beiträge: 236
Registriert: 28.01.2004 20:39
Contact:

EBE Nachholklausur

Beitrag von pax » 18.07.2006 12:36

wendepunkt bei 3a, aber nicht in der mitte sonder etwas höher... mit den anstiegen krieg ich aber ein x1 von 4,75 a raus, sonst is das feld da nicht null, die frage 1,5 oder 1,75 hab ich noch nicht gecheckt...
that\'s impossible no one knows nothing
someone somewhere knows
i want the man who knows

kurondo
Beiträge: 23
Registriert: 12.10.2004 14:20

EBE Nachholklausur

Beitrag von kurondo » 19.07.2006 14:54

das x konnte man ganz leicht berechnen indem man die beiden Flächen der Raumladungszone gleichsetzt. Die sind im p und n Gebiet gleich.

Man konnte sich nicht wirklich gut vorbereiten...
Übungsaufgaben = die gleichen wie im letzten Jahr, dieses Jahr etwa 10^10 mal gerechnet
Probeklausur = 0.5 letze Probeklausur + 0.5 Übungsaufgaben...

Es sollten in den Übungen auch mehr Verständnisfragen geklärt werden, dann könnte man sich in der Klausur auch was zusammenreimen.
Ja ich hab auch nur eine Formel aus der Sammlung benutzt und die bezog sich glaub ich auf die Diode...

War echt ne schwere Klausur. Haben in den letzten Jahren wohl zu viele bestanden und sie wollten den Durchschnitt mal an
das Uni-Level anheben.

Gesperrt

Zurück zu „3. und 4. Semester“