ME MOS Gleichungen?
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ME MOS Gleichungen?
Hi kann mir jmnd. mal bitte die Gleichungen für den MOS Transistor mit berücksichtigung von ath und kclm durchgeben. Irgendwie blick ich da überhaupt nicht mehr durch... In der Formelsammlung ist nur die Gleichung ohne kclm und mit der Gleichung aus dem Skript komm ich bei Übungsaufgabe F7 nicht auf das richtige ergebnis.
Danke
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Meine speziell die Gleichungen für den Drainstrom... Mit denen im Skript komme ich nicht auf die richtige LSg. beiÜ5- F7
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r den Drainstrom... Mit denen im Skript komme ich nicht auf die richtige LSg. beiÜ5- F7[/quote]
ja, das würde ich auch gern wissen.
die gleichungen im skript sind da irgendwie nicht so ganz ausreichend, oder?
- Editiert von kay am 30.07.2007, 23:00 -
ja, das würde ich auch gern wissen.
die gleichungen im skript sind da irgendwie nicht so ganz ausreichend, oder?
- Editiert von kay am 30.07.2007, 23:00 -
ME MOS Gleichungen?
ich konnte leider nicht zur vorlesung, aber das skript ist im prinzip großer mist.... wikipedia wie immer mein freund...
ME MOS Gleichungen?
[quote=neon]wikipedia wie immer mein freund...[/quote]
ich finde da leider bei mosfet, kanallängenmodulation, clm und feldeffekttransistor nichts zu clm. wonach hast du denn gesucht?
ich finde da leider bei mosfet, kanallängenmodulation, clm und feldeffekttransistor nichts zu clm. wonach hast du denn gesucht?
ME MOS Gleichungen?
sorry hab den thread jetz ersst bemerkt. hier die formeln:
für 
besser spät als nie...
besser spät als nie...
ME MOS Gleichungen?
dankeschön!
ME MOS Gleichungen?
die zweite Formel ist mir schleierhaft... das ist der Sättigungsbereich (Pinch-Off) und da habe ich was anderes... in der formelsammlaung stehen die gleichungen übrigens auch, nur in einer leicht anderen form...
ME MOS Gleichungen?
ja in der formelsammlung is die formel für U_DS>U_DS,sat unvollständig, da fehlt der anteil mit k_clm. mit der aus der formelsammlung kann man dann z.b. g_d garnich berechnen, da I_D garnicht von U_DS abhängt.
ME MOS Gleichungen?
@ dude: Ich würde ja nochmal auf s.167 verweisen - die hab ich jetz im kopf, weil sie eben eine Abhängigkeit von Uds hat.
Weiß auch nich warum die nich in der FS ist. Sie entspricht bis auf das ath ja der, die du gepostet hast. Aber sonst kannste gd wie schon erwähnt nich recht berechnen.
Weiß auch nich warum die nich in der FS ist. Sie entspricht bis auf das ath ja der, die du gepostet hast. Aber sonst kannste gd wie schon erwähnt nich recht berechnen.
ME MOS Gleichungen?
ich glaub nicht, dass wir die ausm kopf wissen müssen, sonst hätte herr komarov was gesagt.
ich denke die formel wird wenn dann gegeben sein, oder wenn wir unbedingt das g_d ausrechnen sollen, dann befindet sich der transformator mit sicherheit im aktiven bereich.
aber es schadet dir ja nichts, wenn du die formel trotzdem kannst:-)
ich denke die formel wird wenn dann gegeben sein, oder wenn wir unbedingt das g_d ausrechnen sollen, dann befindet sich der transformator mit sicherheit im aktiven bereich.
aber es schadet dir ja nichts, wenn du die formel trotzdem kannst:-)
ME MOS Gleichungen?
um die formel von s. 167 benutzen zu können brauch man aber V_A, was zumindest in der übungsaufgabe zum MOSFET nich gegeben war. man könnte es höchstens graphisch ermitteln wenn man das ausgangskennlinienfeld gegeben hat.
zum thema formelsammlung: ich find die is ganzschön schlampig gemacht. es is n haufen zeug drin was man nicht braucht, und das was man braucht is zum teil unvollständig (siehe I_D formel).
zum thema formelsammlung: ich find die is ganzschön schlampig gemacht. es is n haufen zeug drin was man nicht braucht, und das was man braucht is zum teil unvollständig (siehe I_D formel).
ME MOS Gleichungen?
das Va is doch deine pseudo-earlyspannung für den MOS - so weit ich weiß is das die einzige uns gegebene möglichkeit diese bzw. in der literatur diese 1/lambda zu ermitteln
und wenn ich mich recht an die aufgabe erinner war doch der modulationsfaktor kclm gegeben, oder?
und wenn ich mich recht an die aufgabe erinner war doch der modulationsfaktor kclm gegeben, oder?
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die formel oben mag ja richtig sein, aber erstens: im Tietze/Schenk ist auch die Version die in der FS ist
und zweitens, wenn man sich mal die kennlinien anschaut, erkennt man dass ID in diesem Bereich (Pinch-Off) kaum von UDS abhängt.... Die eine Gleichung ist halt genauer, die andere dafür praktikabler...
Recht hat also jeder, das Dilemma ist aber: Ab wann gilt welche Näherung?
und zweitens, wenn man sich mal die kennlinien anschaut, erkennt man dass ID in diesem Bereich (Pinch-Off) kaum von UDS abhängt.... Die eine Gleichung ist halt genauer, die andere dafür praktikabler...
Recht hat also jeder, das Dilemma ist aber: Ab wann gilt welche Näherung?
ME MOS Gleichungen?
also wenn man die kanallängenmodulation (also den pseudo-early-effekt) berücksichtigen soll muss ID ja von UDS abhängen. das is ja grade der witz an der sache (;-)). und wenn man dann nur Kclm und nich VA gegeben hat muss man wohl die formel anwenden, so wie wirs inner übung auch gemacht haben.