ME MOS Gleichungen?

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Moppelheinz
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Beitrag von Moppelheinz »

Hi kann mir jmnd. mal bitte die Gleichungen für den MOS Transistor mit berücksichtigung von ath und kclm durchgeben. Irgendwie blick ich da überhaupt nicht mehr durch... In der Formelsammlung ist nur die Gleichung ohne kclm und mit der Gleichung aus dem Skript komm ich bei Übungsaufgabe F7 nicht auf das richtige ergebnis.

Danke
Felix
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Beitrag von Felix »

Skript Seite 167ff
Moppelheinz
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Beitrag von Moppelheinz »

Meine speziell die Gleichungen für den Drainstrom... Mit denen im Skript komme ich nicht auf die richtige LSg. beiÜ5- F7
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kay
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Beitrag von kay »

r den Drainstrom... Mit denen im Skript komme ich nicht auf die richtige LSg. beiÜ5- F7[/quote]
ja, das würde ich auch gern wissen.
die gleichungen im skript sind da irgendwie nicht so ganz ausreichend, oder?
- Editiert von kay am 30.07.2007, 23:00 -
neon
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Beitrag von neon »

ich konnte leider nicht zur vorlesung, aber das skript ist im prinzip großer mist.... wikipedia wie immer mein freund...
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kay
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Beitrag von kay »

[quote=neon]wikipedia wie immer mein freund...[/quote]
ich finde da leider bei mosfet, kanallängenmodulation, clm und feldeffekttransistor nichts zu clm. wonach hast du denn gesucht?
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Ulli
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Beitrag von Ulli »

sorry hab den thread jetz ersst bemerkt. hier die formeln:

\\Large I_D=k\'*[(U_{G\'S\'}-V_{th})*U_{D\'S\'}-(1+\\alpha_{th})*\\frac{U_{D\'S\'}^2}{2}] für U_{D\'S\'}U_{D\'S\', sat}

besser spät als nie...
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kay
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Beitrag von kay »

dankeschön!
neon
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Beitrag von neon »

die zweite Formel ist mir schleierhaft... das ist der Sättigungsbereich (Pinch-Off) und da habe ich was anderes... in der formelsammlaung stehen die gleichungen übrigens auch, nur in einer leicht anderen form...
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Ulli
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Beitrag von Ulli »

ja in der formelsammlung is die formel für U_DS>U_DS,sat unvollständig, da fehlt der anteil mit k_clm. mit der aus der formelsammlung kann man dann z.b. g_d garnich berechnen, da I_D garnicht von U_DS abhängt.
Felix
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Beitrag von Felix »

@ dude: Ich würde ja nochmal auf s.167 verweisen - die hab ich jetz im kopf, weil sie eben eine Abhängigkeit von Uds hat.
Weiß auch nich warum die nich in der FS ist. Sie entspricht bis auf das ath ja der, die du gepostet hast. Aber sonst kannste gd wie schon erwähnt nich recht berechnen.
sonne
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Beitrag von sonne »

ich glaub nicht, dass wir die ausm kopf wissen müssen, sonst hätte herr komarov was gesagt.
ich denke die formel wird wenn dann gegeben sein, oder wenn wir unbedingt das g_d ausrechnen sollen, dann befindet sich der transformator mit sicherheit im aktiven bereich.
aber es schadet dir ja nichts, wenn du die formel trotzdem kannst:-)
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Ulli
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Beitrag von Ulli »

um die formel von s. 167 benutzen zu können brauch man aber V_A, was zumindest in der übungsaufgabe zum MOSFET nich gegeben war. man könnte es höchstens graphisch ermitteln wenn man das ausgangskennlinienfeld gegeben hat.
zum thema formelsammlung: ich find die is ganzschön schlampig gemacht. es is n haufen zeug drin was man nicht braucht, und das was man braucht is zum teil unvollständig (siehe I_D formel).
Felix
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Beitrag von Felix »

das Va is doch deine pseudo-earlyspannung für den MOS - so weit ich weiß is das die einzige uns gegebene möglichkeit diese bzw. in der literatur diese 1/lambda zu ermitteln
und wenn ich mich recht an die aufgabe erinner war doch der modulationsfaktor kclm gegeben, oder?
neon
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Beitrag von neon »

die formel oben mag ja richtig sein, aber erstens: im Tietze/Schenk ist auch die Version die in der FS ist
und zweitens, wenn man sich mal die kennlinien anschaut, erkennt man dass ID in diesem Bereich (Pinch-Off) kaum von UDS abhängt.... Die eine Gleichung ist halt genauer, die andere dafür praktikabler...

Recht hat also jeder, das Dilemma ist aber: Ab wann gilt welche Näherung?
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Ulli
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Beitrag von Ulli »

also wenn man die kanallängenmodulation (also den pseudo-early-effekt) berücksichtigen soll muss ID ja von UDS abhängen. das is ja grade der witz an der sache (;-)). und wenn man dann nur Kclm und nich VA gegeben hat muss man wohl die formel anwenden, so wie wirs inner übung auch gemacht haben.
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