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Tommes
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Klausuren

Beitrag von Tommes » 23.05.2008 21:56

Halbleitertechnologie

Prüfung HLT
Also bei mir sah die Prüfung in HLT so aus, dass Prof. Bartha sich ein Thema genommen hat und dort bis ins Detail gegangen ist. Bei mir war das die Lithographie:
  • Arten, Funktionsweise und Entwicklung von Fotolacken
  • Belichtungsmethode
  • Abhängigkeiten von Auslösungsvermögen und DOF der Methoden
  • Pattern Enhancement, die vier Verfahren
  • Umkehrbelichtung
  • Stehwellen und was nachträglich gemacht werden kann, diese zu beseitigen
Dann ist er nochmal kurz auf Dotierung eingangen:
  • Möglichkeiten zur Dotierung
  • Entstehende Profile
  • Channeling Effekt und was die Bezeichnung der Ebenen überhaupt bedeutet
  • Warum nach Implantation noch keine gewollten elektr. Eigenschaften vorhanden sind
  • Welcher Schritt nach der Implantation notwendig ist
Ich nehme an, weitere größere Themen, die er fragen wird sind:

* Kristallziehen + Waferherstellung
* CVD + PVD


bei mir kam dran:
lithographie: bestandteile lack, negativ+postiv belichtung, jeweils erklären was passiert und welchen entwickler man nimmt, resistempfindlichkeit und -kontrast erklären (am bestebn mit dem diagramm), bmin und DOF beschreiben und an den formeln manipulieren, auf NA eigehen und erklären
oxidation: alle prozessparameter(5) genau erklären und unterscheiden für linear und parabolisch, diagramm schichtdicke/zeit erklären also lineares und parabolisches wachstum, verhältnis si/sio2-wachstum am beispiel
Wer Rechtschreibfehler findet, darf sie behalten!

aenz
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Re: Halbleitertechnologie

Beitrag von aenz » 21.07.2008 13:24

welche eigenschaften kommen beim waferkauf zum tragen? (dotierung größe durchbiegung und so kram)
reinigung des siliziums
ziehverfahren (einkristallines silizium)
dotiermethoden : diffusion, ionenimplantation
jetzt wurdes haarig: die dotierprofile erklären: halbe gausskurve bei erschöpflicher quelle und diese fehlerfunktion bzw inverse gaussfunktion oder sowas bei unerschöpflicher quelle.
außerdem der unterschied im profil bei ionenimpl. , unterschied der kurve zwischen bor und arsen: jeweils parabel die unterschiedlich "schmal" ist. naja haltn paar kurven zeichnen und erklären.
dann noch sagen warum man nach ionenimpl. erhitzen muss und was für verfahren es gibt..

das wars dann auch schon, wusste bei der diffusion nich viel zu sagen und hat trotzdem für ne recht gute note gereicht also keine angst, die sind ziemlich nett in der prüfung und notengebung ist auch top..

SkyWalker9999
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Re: Halbleitertechnologie

Beitrag von SkyWalker9999 » 28.07.2008 14:31

bei mir ist meister barta auch ordentlich ins detail gegangen.
los gings mit positiv/negativresist (erklären, auch was passiert durch belichtung, vernetzung alleine hat ihm nicht gereicht).
resistempfindlichkeit und -kontrast, diagramm dazu, wie kann man bestimmen?
pattern enchancement verfahren nennen: wie funktioniert die phasenschiebermaske (sehr genau, also nicht nur phasenverschiebung, sondern WIE werden die phasen verschoben)
Dann die Belichtungstechniken, DOF und b_min erklären, formeln verändern usw.
Image reversal wollte er auch noch
und am ende noch SiO2-CVD erklären (also Silan, TEOS, HTO) Vor-/Nachteile, Kantenabdeckung...

War auf jeden fall jede menge, hat auch 35 Minuten gedauert bei mir...

Profiler
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Prüfung am 29.07.09

Beitrag von Profiler » 29.07.2010 07:59

So ich war nun heute früh der erste Prüfling um 8:00 Uhr und mir wurden folgende Fragen gestellt (soweit ich mich erinnere):
-Millerindizes: was ist das, Bestimmung anhand vorgegebenen Beispiel, Unterscheidung von Richtung und Ebene, also geschwungene und spitze Klammern
-Kristallziehverfahren: Zonenziehen grob erklären, Czochalski erklären, wie Dotierung im Kristall aussieht und wie sie zustande kommt (Segregation)
-Dotierung:
Verfahren nennen, Diffusion und Ionenimplantation erklären (erschöpflich, unerschöpflich, Dotierungsprofile zeichnen und erklären), auftretende Effekte erklären (z.b. Channeling)
Warum kann man bei Ionenimplantation eine Lackmaske verwenden und bei Diffusion nicht?
Ist der Wafer dann gleich fertig? (Nein, Ausheilen und Aktivieren ... erklären, was man da macht)
-Fotolithografie:
Negativlack+Positivlack erklären, was bei Belichtung passiert (Negativ: N2 Abspaltung durch Photon, Anlagerung des Schichtbildners an PAC -> Vernetzungsreaktion -> Resist wird an belichteten Stellen resistenter, Entwickeln mit Lösungsmittel; Positiv: N2-Abspaltung durch Photon von Diazonaphtoquinon, Durch Wasserzugabe Bindung von OH an Position des abgespaltenen N2 -> COOH (Carboxylsäure) -> Entwicklung durch Natronlauge oder TMAH
Dann wollte er noch wissen, was man für Strukturgrößen in nm-Bereich nimmt -> Deep UV Resist: kurz erklären, was da gemacht wird.

Dann meinte der Beisitzer, dass wir schon über die Zeit drüber sind (Meister Bartha musste natürlich auch zur Prüfung überziehen *g*) und dann bin ich ca. 15 Sekunden rausgegangen und durfte mir dann eine sehr schöne Note abholen.
Alles in allem war es eine gute Prüfung, man saß vor dem Prüfer und musste manchmal etwas aufmalen, relaxte Stimmung, so muss das sein.

Vielleicht hilft euch das ja, noch viel Erfolg :)

nadine
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Re: Klausuren

Beitrag von nadine » 20.07.2012 10:48

Also meine Prüfung gestaltete sich sehr entspannt. Folgende Themen hatte ich zu beantworten:
  • Gitteraufbau von Silizium
  • Millerindizees - Bestimmung und was sie bedeuten
  • Winkel zwischen der (100) und der (110) Ebene - am besten mal aufmalen, dann sieht man das (45 grad)
  • 4 Arten der Dotierung von Silizium
  • wie viele Atome in einem cm^3 -> 5e22
  • Ober- und Untergrenze von Dotieratomen
  • Tiegelziehverfahren:-Segregation und axiale Abhängigkeit mit Diagramm
  • Segregationkonstante von B und As vergleichen (aber ohne Wert, nur qualitativ) -> K_B > K_As
  • Litho: Projektionsbelichtung: CD und DoF erläutern und Formel, wissen was NA ist, Verbesserung von CD durch lambda oder duchr NA -> lambda!
    wieso Mehrlagenresist
    Pattern Enhancement Verfahren nennen und n bissl erläutern
  • Dotierung: 3 Diagramme für die Dotierverfahren ohne Vordotierung bei Kristallzucht
    Vorteile der Implantation
    Channeling - Abweichung von der LSS Theorie
    Ausheilung, warum RTA -> Unterbindung der Diffusion unter die Maske
Und das wars dann auch schon bei mir. Keine stöchiometrische Formeln, Rechnungen oder anderes kompliziertes Zeug. Der liebe Herr Prof. Batha fragt die immer alles ganz direkt und hilft dir, wenns mal nicht sofort weitergeht.
Wünsche euch viel Erfolg

Jonas N
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Re: Klausuren

Beitrag von Jonas N » 05.03.2018 11:03

Hatte heute morgen die Prüfung in Semiconductor,

Los ging es mit Silizium,
-wie ist es aufgebaut, was für ein Kristallwürfel ist es (fcc), was ist die Basis
-wie stellt man hochreines Silizium her, wie hoch ist die Reinheit, wie viel Atome in einem cm³
-warum Bor besser als Phosphor, Segregationskoeffizient erklären welche Auswirkungen hat es auf den Ingot, was wäre ein Ideales K (1)

Dann kam Dotierung (wollte er alles sehr genau wissen)
-was für Dotierungsmethoden gibt es, Diffusion und Implantation erklären und die Konzentrationskurven zeichnen.
-An den Kurven erklären was bei zeitlicher Veränderung passiert (sehr genau)

Oxidation
-Kurven zeichnen, dann die Einflussgrößen erklären, warum der Verlauf so ist
-Dann Erklären warum Funktion nicht in Null beginnt

Es ist sehr fair von ihm, man weiß manchmal nicht genau was er hören möchte, aber er hilft immer und bewertet es auch positiv wenn man die Hilfe annimmt. Die Bewertung ist auch sehr Studenten freundlich, also keine Angst

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