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ThatGuy
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Beitrag von ThatGuy » 05.05.2012 14:37

Aufgaben der Semesterklausur aus dem WS2011/12
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Master
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 19.01.2013 14:52

Hi Community ;)
Hat auch jemand die Lösungen zu der Klausur von 2012? Oder hat die schon jemand bearbeitet und könnte seine Lösungen hochladen? ;) Wenn irgendwer Lösungen irgendeiner Art hat, würde ich mich sehr darüber freuen, wenn er sie hochlädt. Vielen Dank schon mal im Voraus.
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Master
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 02.02.2013 19:26

Ich habe basierend auf Professor Barthas Skript und seiner Zusammenfassung(en) mal eine eigene eher stichpunktartige siebenseitige Zusammenfassung erstellt, da ich das Skript ziemlich unübersichtlich finde und man sich da alles zusammensuchen muss. Fehler sind nicht ausgeschlossen und Abbildungen wegen des Aufwandes nicht enthalten. Aber vielleicht kann der ein oder andere ja damit was anfangen bzw. als Lernhilfe nutzen.
Viel Erfolg! ;)

EDIT:
Update 04.02.13: Kleinere Rechtschreibfehler verbessert, inhaltlich jedoch nichts neues dabei.
Update 12.02.13: Kleine Ergänzungen, themenmäßig jedoch nichts Neues dabei.
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Zuletzt geändert von Master am 13.02.2013 14:14, insgesamt 2-mal geändert.
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 08.02.2013 13:00

Aus dem Diskussionsthread, habe ich mal die dortigen Lösungen zur Klausur 2012 zusammengestellt. Keine Ahnung, ob das alles stimmt. Keiner ist sich bei 4. und 5. wirklich sicher, also sind die Lösungen mit Vorsicht zu genießen und kritische Rückmeldungen wünschenswert.


EDIT:
Update 12.02.13: Aufgabe 2c&d korrigiert und die untenstehende Grafik zur Veranschaulichung eingefügt. Aufgabe 5c korrigiert bzw. genauer berechnet, da vorher mit den idealen Werten gerechnet wurde.
Update 12.02.13 no2: zu Aufgabe 4 alternative Verfahren ergänzt
Update 13.02.13: Aufgabe 7d korrigiert
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Re: Klausuren

Beitrag von Christian Hufnagel » 09.02.2013 13:23

Also ich bin mir ziemlich sicher, dass der Prozess in Aufgabe 2 ein subtraktive Strukturierung mit isotropen Ätzen ist. Beim Locos Prozess würde links und rechts von der freien Stelle das SiO2 auch unter der Substratoberfläche sein.

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Re: Klausuren

Beitrag von nifredi » 11.02.2013 17:21

Ich habe noch einen Vorschlag für Aufgabe 2c. Das Oxid wächst zu ca. 50% "in" das Substrat. Dies wäre dann ja sowohl für die Oxidation an der freigeätzen Stelle als auch für die bestehende Oxidschicht der Fall. Dies würde einen anderen Höhenunterschied ergeben, sowohl in Aufgabenteil c als auch d. Ich habe versucht, dies an einer kleinen Skizze zu verdeutlichen, in schwarz das ursprüngliche Profil, rot das neue.
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Re: Klausuren

Beitrag von steini » 12.02.2013 18:05

ist bei 7.d) nicht eigentlich die antwort die wellenlänge des lichts und die numerische apertur der linse??? :?:

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Re: Klausuren

Beitrag von MisterGoetze » 20.02.2014 11:00

Hier mal die Lösung zur 12er Klausur in Tex,
Bilder hab ich nicht erstellt - das sollte m. E. klar sein.
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Re: Klausuren

Beitrag von JoVaRi » 20.02.2014 23:12

Hier die Klausur vom 19.02.2014 (WS13/14). Fehler könnt ihr mir gerne dann per pn/Mail schicken. Alle Angaben ohne Gewähr; Lösungen folgen vielleicht noch. Wortlaut aus stichwörtern rekonstruiert
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Re: Klausuren

Beitrag von etknecht25 » 08.02.2015 16:05

Hier mein Lösungsvorschlag für die MT Klausur vom letzen Jahr. Wenn ihr Fehler findet sagt bescheid. Es fehlt auch noch was, vielleicht mach ich das noch rein.
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Bauer_Alfred
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Re: Klausuren

Beitrag von Bauer_Alfred » 08.02.2015 23:21

Hey etknecht25
Ich hab mir mal deine Lösung angeschaut und freue mich, dass du deine Lösungsvorschläge mit deinen Kommilitonen teilst. Mir persönlich sind bisher nur ein paar kleine Sachen aufgefallen.
Aufgabe 4a)Meiner Meinung nach würde es korrekt lauten, dass die Millerschen Indizes eine eindeutige Beschreibung von Kristallflächen/-ebenen im Kristallgitter angeben.Obwohl deine Aussage auch richtig ist.
Aufgabe4b) Es ist vermutlich nur ein Tippfehler von dir, aber müsste es nicht lauten für E1 (101)? Der Winkel dürfte trotzdem bei 30° liegen.
Aufgabe5) Dort sind mir 3 Sachen aufgefallen: DOF-depth of focus, ECD- electrochemical deposition und für c-Si müsste es vollständig monokristallines Silizium heißen
Aufgabe6a) Diese Aufgabe entstammt glaube der 19.Vorlesung von Prof Bartha und nach den Graphen die dort eingezeichnet sind (ist dort depth abhängig) müsste der erste Graph Ionenimplantation und der zweite mit Diffusion aus erschöpflicher Quelle bezeichnet werden.
Die Aufgabe 7 hab ich mir noch nicht angeschaut...Ich hoffe, dass ich helfen konnte.

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Re: Klausuren

Beitrag von Bauer_Alfred » 11.02.2015 16:11

Hey hat jemand nen Lösungsvorschlag, wie man in der Aufgabe 7 b von der Klausur vor einem Jahr auf die horizontale Ätzrate kommt? Steh da im Moment ein weinig auf dem Schlauch und die wird ja zum zeichnen, wie auch zur Bestimmung des Anisotropiefaktors benötigt. Ist wahrscheinlich ganz einfach, komm aber irgendwie nicht darauf.

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Re: Klausuren

Beitrag von thinkanders » 10.02.2017 11:02

Anbei die aus Stichpunkten und Erinnerungen rekonstruierte Mikrotechnologien-Klausur aus dem Wintersemester 2015/16 bei Herrn Prof. Bartha.
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Re: Klausuren

Beitrag von unuseptum » 31.01.2018 22:44

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https://quizlet.com/_33q8or

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