Klausuren Elektronische Bauelemente

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Hummer
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Klausuren Elektronische Bauelemente

Beitrag von Hummer » 17.02.2014 11:48

Hey

Erst mal zur Aufgabe 3g:
Wenn mit n-MIS Struktur n-Kanal gemeint ist, dann ist die Lösung in meinen Augen richtig.
Wenn jedoch n-Substrat gemeint ist, wärs dementsprechend falsch.

Die Lösungen von 5 und 6 find ich eigentlich ganz logisch, wenn man davon ausgeht, dass Gleichspannung anliegt.

Ich hab da mal ne Frage zur Lösung der Klausur von 2012, Aufgabe 1.

Müsste die Steigung des Potentials nicht gemäß E(x) ab 1,75a betragsmäßig größer werden als bei a?

MfG

Edit:
Ich muss Schamhaarpirat und seiner DB Kapazität übrigens zustimmen.

danneboom
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Re: Klausuren

Beitrag von danneboom » 17.02.2014 18:35

zur 3g: Anreicherung meint doch Akkumulation, und um Löcher an die Grenzschicht zu befördern (n-Kanal MOS -> p-Bulk) muss Ugs in meinen Augen kleiner null sein, nämlich kleiner Vfb (Flachbandspannung), die negativ ist. Script S. 114 und S.120

Hummer
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Re: Klausuren

Beitrag von Hummer » 17.02.2014 19:10

Achso. Ich dachte er meinte mit Anreicherung nen Anreicherungstyp. Aber wenn es Akkumulation ist dann haste natürlich recht.

danneboom
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Re: Klausuren

Beitrag von danneboom » 17.02.2014 19:21

Anreicherungstyp ist es ja trotzdem, das meint ja selbstsperrend... mh komisch, theoretisch müsste dabei die Anreicherung mit Elektronen gemeint sein.
Aber "Anreicherungsfall" hätte ich als Akkumulation interpretiert; bei der Konsultation heute hat das Herr Zimmermann auch so bestätigt.

Ungenaue Fragestellung auf jeden Fall.

Astarte
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Re: Klausuren

Beitrag von Astarte » 17.02.2014 19:54

Zum Thema 3g) Die Antwort in der Musterlösung ist richtig, da im Skript immer von einem p-dotierten Substrat die Rede ist. In der Klausur musste allerdings die Fragestellung für eine n-MIS- Struktur beantwortet werden. (Vgl. Skript S. 125)
Zitat: Die Erhöhung der Majoritätendichte an der Halbleiteroberfläche bezeichnet man als Anreicherung
(accumulation).

Also bei Elektronen durch Anlegen einer positiven Spannung.

steiny
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Re: Klausuren

Beitrag von steiny » 18.02.2014 12:36

Um nochmal auf die Aufgabe 6 zu sprechen zu kommen:

Wenn ich den Maschensatz auf die Widerstände Rs und Rg und die Spannung Ugs anwende, komme ich auf:

0 = -Ug + Ugs + Id*Rs.
<=>
Ugs = - Id * Rs = -0.5 V
(da Ug = 0)

Demzufolge wäre Usb = 0.5 V. Dies ist auch insoweit logisch, da die negative Klemme der Spannungsquelle das niedrigste Potential in der Schaltung hat - demzufolge fällt eine positive Spannung von Source zu Bulk (=negative Klemme) ab.
Oder wo hab ich da nen Denkfehler?

FlipFlop-Springer
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Re: Klausuren

Beitrag von FlipFlop-Springer » 18.02.2014 20:51

steiny hat geschrieben: 0 = -Ug + Ugs + Id*Rs.
<=>
Ugs = - Id * Rs = -0.5 V
(da Ug = 0)

Demzufolge wäre Usb = 0.5 V. Dies ist auch insoweit logisch, da die negative Klemme der Spannungsquelle das niedrigste Potential in der Schaltung hat ...
Korrekt ich komme auch auf Ugsa = -0,5 V da ja der Gate Anschluss direkt auf masse liegt. so kann S nicht negativer sein!
und analog für : Usba = +0,5V da wiederum Bulk auf Masse liegt!

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