[EBE] Allgemeiner Fragenthread
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Also es gibt nicht "die" Rekombination, sondern verschiedene Rekombinationsmechanismen. Eine davon ist eben die Shockley-Read-Hall-Rekombination.
Dabei erfolgt die Rekombination sequentiell über Gitterdefekte. Das heißt, dass ein Elektron aus dem Leitungsband unter Aussendung eines Phonons in den Energiezustand des Gitterdefektes übergeht, und anschließend mit einem Loch im Valenzband rekombiniert, wobei wieder ein Phonon entsandt wird.
Neben dieser Rekombinationsart gibt es z.B. noch die strahlende Rekombination, wo das Elektron direkt mit einem Loch im Valenzband unter Aussendung eines Photons rekombiniert.
Dabei erfolgt die Rekombination sequentiell über Gitterdefekte. Das heißt, dass ein Elektron aus dem Leitungsband unter Aussendung eines Phonons in den Energiezustand des Gitterdefektes übergeht, und anschließend mit einem Loch im Valenzband rekombiniert, wobei wieder ein Phonon entsandt wird.
Neben dieser Rekombinationsart gibt es z.B. noch die strahlende Rekombination, wo das Elektron direkt mit einem Loch im Valenzband unter Aussendung eines Photons rekombiniert.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
woher hast du die Lösung mit den Bereichen (ohm, sätt, sperr)?S.K.Naggsch hat geschrieben:Hi kann mir jemand die Lösung für die F7 d) bestätigen bzw. berichtigen! Einfach hier posten.
edit: hatte Drain und Source vertauscht^^
Danke schon mal
Woran erkenne ich das in welchem Bereich das liegt?
- laces
- Beiträge: 121
- Registriert: 13.10.2009 12:58
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
- Wohnort: Dresden
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
in der aufgabenstellung ist gegeben: Uds<=0
darausfolgt, dass Source stets positiver als Drain ist, da ja Uds= Ud-Us (Masche)
aus dieser schlussfolgerung kannst du bei A1 und A2 jeweils immer S oder D angeben, Source hat dabei immer den größeren wert.
um den Bereich zu bekommen musst du Uds und Ugs berechnen (Maschensatz siehe aufgabenstellung) und dann Ugs mit Utho und Uds mit Ugs-Utho vergleichen. was welcher bereich ist > siehe vorlesung, übung, script, internet....
darausfolgt, dass Source stets positiver als Drain ist, da ja Uds= Ud-Us (Masche)
aus dieser schlussfolgerung kannst du bei A1 und A2 jeweils immer S oder D angeben, Source hat dabei immer den größeren wert.
um den Bereich zu bekommen musst du Uds und Ugs berechnen (Maschensatz siehe aufgabenstellung) und dann Ugs mit Utho und Uds mit Ugs-Utho vergleichen. was welcher bereich ist > siehe vorlesung, übung, script, internet....
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Weiß einer Genaueres über die Raumaufteilung morgen?
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Freitag, 11.02.2011 14:50 Uhr 120 Minuten
für Elektrotechnik
Familienname A bis P HSZ/02/H
Familienname Q bis Z BAR/SCHOE/E
nachzulesen hier
http://www.iee.et.tu-dresden.de/iee/eb/ ... 11_ws.html
für Elektrotechnik
Familienname A bis P HSZ/02/H
Familienname Q bis Z BAR/SCHOE/E
nachzulesen hier
http://www.iee.et.tu-dresden.de/iee/eb/ ... 11_ws.html
-
- Beiträge: 67
- Registriert: 09.02.2009 12:11
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2008
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
naggsch sei lösung is falsch!!!
muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
-
- Beiträge: 53
- Registriert: 08.12.2008 19:34
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2008
- Wohnort: DD
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!
muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Für den der gefragt hatte!
Zuletzt geändert von S.K.Naggsch am 10.02.2011 21:06, insgesamt 1-mal geändert.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Hi,
weiss einer von euch eigentlich ob die Majoritätsträgerdichte die Elektronen oder die Löcher beschreibt, oder ist es abhängig von der höheren Dichte?
mfg cartman
weiss einer von euch eigentlich ob die Majoritätsträgerdichte die Elektronen oder die Löcher beschreibt, oder ist es abhängig von der höheren Dichte?
mfg cartman
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Fast.Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs>Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Für den der gefragt hatte!
Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs < Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Für den der gefragt hatte!
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
im n-dotierten Bereichen sind die Elektronen die Majoritäten und die Löcher die Minoritäten.cartman89 hat geschrieben:Hi,
weiss einer von euch eigentlich ob die Majoritätsträgerdichte die Elektronen oder die Löcher beschreibt, oder ist es abhängig von der höheren Dichte?
mfg cartman
im p-dotieren Bereichen genau andersherum!
ist immer davon abhängig was du betrachtest.
grüße
- laces
- Beiträge: 121
- Registriert: 13.10.2009 12:58
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
- Wohnort: Dresden
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
der 5. bereich ist aber sättigung!S.K.Naggsch hat geschrieben:stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!
muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Für den der gefragt hatte!
-
- Beiträge: 67
- Registriert: 09.02.2009 12:11
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2008
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1Vlaces hat geschrieben:der 5. bereich ist aber sättigung!S.K.Naggsch hat geschrieben:stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!
muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Für den der gefragt hatte!
Uds= -2,5
Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -(-2,5) das gilt für Ohmschen Bereich
edit:
bei mir fehlte minus, damit is meine annahme falsch... is sättigung
Zuletzt geändert von chaosnr1 am 10.02.2011 21:09, insgesamt 2-mal geändert.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Aber mal ehrlich, habt ihr die Großsignal-ESBs wirklich drauf? Das ist doch utopisch, die Dinger kann sich doch keiner merken. Ich bin froh, dass ich die Kleinsignalmodelle drin hab. Und in vergangenen Klausuren hab ich auch nur Aufgaben mit Kleinsignalmodellen gefunden.M_A_D hat geschrieben:Wir sollen doch die 8 KS-ESB von Diode, Fotodiode, BJT und MOS-FET für HF und NF können. Hat die zufällig einer mal als Übersicht? Und kann mir den Unterschied zwischen KS- und GS-ESB erklären? =)
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
So isses, Kleinsignal-ESBs von BJT und MOSFET sind wohl die wichtigsten.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Also der P-Kanal MOSFET befindet sich doch in Sättigung, wenn
. Somit ist der 5. Bereich Sättigung. Habt ihr einfach die Bedingungen vom N-Kanal MOSFET übernommen, und auf beide Seiten ein - gesetzt?
- laces
- Beiträge: 121
- Registriert: 13.10.2009 12:58
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
- Wohnort: Dresden
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
chaosnr1 hat geschrieben:
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1V
Uds= -2,5
Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -2,5 das gilt für Ohmschen Bereich
wenn du das mit den minuszeichen machst, dann musst du aber auch -(-Uds) nehmen und das ist Uds, also -Uds>=-(Ugs-Utho) --> Sättigung
mach lieber Uds<=Ugs-Utho für Sättigung, dann kommt man nicht so schnell durcheinander
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Wieso macht ihr euch das mit den Bereichen denn so umständlich. Stellt euch doch einfach die Kennlinien vor, damit ergeben sich die Bedingungen doch ganz von selbst.laces hat geschrieben:chaosnr1 hat geschrieben:
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1V
Uds= -2,5
Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -2,5 das gilt für Ohmschen Bereich
wenn du das mit den minuszeichen machst, dann musst du aber auch -(-Uds) nehmen und das ist Uds, also -Uds>=-(Ugs-Utho) --> Sättigung
- laces
- Beiträge: 121
- Registriert: 13.10.2009 12:58
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
- Wohnort: Dresden
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
ja das hab ich ja auch noch ergänzt, das bringt nur verwirrung! ich hab das nich angefangen 

-
- Beiträge: 53
- Registriert: 29.07.2009 06:52
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2014
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Hallo, ich bin bei Aufgabe 4 b) von Wiederholungsklausur 2007. Bei der Berechnung von R_E ist i_a vernachlässigt. Aber später bei e) ist C_K vernachlässigt. Kann jemand das erklären?
-
- Beiträge: 53
- Registriert: 08.12.2008 19:34
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2008
- Wohnort: DD
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Wenn jemand nach den Bereichen fragt bekommt er auch eine antwort ! 

- M_A_D
- Beiträge: 196
- Registriert: 13.10.2009 12:57
- Name: Mähäääd!
- Geschlecht: weiblich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Doktor
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Hat nicht mal noch jemand eine kleine Übersicht der 8 KS-ESB?
Wer von euch Hässlichen meint ich sei oberflächlich?
-
- Beiträge: 38
- Registriert: 30.10.2009 18:45
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Habs mal zusammen geklatscht. Ist eher unschön, aber zweckmäßig. Sind alles HF-Versionen. Für NF- einfach nach den abgedruckten Regeln verfahren. Wenn irgendwem ein Fehler auffällt… Bitte melden!
Du hast keine ausreichende Berechtigung, um die Dateianhänge dieses Beitrags anzusehen.
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Was heißt vernachlässigt. Der Arbeitspunkt wird über Gleichstrom eingestellt für diesen sind die Kapazitäten eine Unterbrechung.ben0225 hat geschrieben:Hallo, ich bin bei Aufgabe 4 b) von Wiederholungsklausur 2007. Bei der Berechnung von R_E ist i_a vernachlässigt. Aber später bei e) ist C_K vernachlässigt. Kann jemand das erklären?
Des Weiteren sind die Koppelkondensatoren so dimensioniert, dass sie für das zu verstärkende Signal einen Kurzschluss darstellen.
Bei der Fotodiode muss noch eine Stromquelle rein, welche für den Fotostrom steht. Und da die Fotodiode in Sperrrichtung betrieben wird kann die Diffusionskapazität vernachlässigt werden und der differenzielle Leitwert fällt weg.saschihase hat geschrieben:Habs mal zusammen geklatscht. Ist eher unschön, aber zweckmäßig. Sind alles HF-Versionen. Für NF- einfach nach den abgedruckten Regeln verfahren. Wenn irgendwem ein Fehler auffällt… Bitte melden!
Zuletzt geändert von tuxianer am 10.02.2011 22:18, insgesamt 4-mal geändert.
- laces
- Beiträge: 121
- Registriert: 13.10.2009 12:58
- Geschlecht: männlich
- Studienrichtung: Elektrotechnik
- Matrikel: 2009
- Angestrebter Abschluss: Dipl-Ing.
- Wohnort: Dresden
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
weiß einer, ob beim mosfet (HF-KSE) die Cgb oder die Cds kapazität parallel geschaltet ist, in der vorlesung mit Cgb, habs aber auch schon als Cds gesehen?!
Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread
Also parallel geschaltet sind Cgb und Cds nicht. Es kann höchstens je nach Beschaltung vorkommen, dass Cgs und Cgb parallel sind. Das ist der Fall, wenn du Bulk auf das Source Potential legst.
Ansonsten dominieren halt je nach Bereich, in dem der Transistor arbeitet andere Kapazitäten. Und zwar im Sperrbereich die Gate-Bulk Kapazität, im linearen die Gate-Source und die Gate-Drain Kapazitäten und im Sättigungs Bereich die Gate-Source Kapazität.
Ansonsten dominieren halt je nach Bereich, in dem der Transistor arbeitet andere Kapazitäten. Und zwar im Sperrbereich die Gate-Bulk Kapazität, im linearen die Gate-Source und die Gate-Drain Kapazitäten und im Sättigungs Bereich die Gate-Source Kapazität.