[EBE] Allgemeiner Fragenthread

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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces »

ja ok, aber was is mit Cds? gibs da überhaupt eine kapazität?
tuxianer
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer »

Also meiner Meinung nach gibt es da direkt keine Kapazität. Die sind ja halbleitertechnisch gar nicht in Kontakt. Das Einzige, was du vermutlich machen kannst ist eine DS Kapazität über die Zusammenschaltung der einzelnen Kapazitäten im Bauelement zu definieren.
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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces »

Das wollt ich auch nur bestätigt bekommen, thx!
onehanded
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von onehanded »

S.K.Naggsch hat geschrieben:stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.

Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)
Wie lauten denn die für den n-Kanal? Oder sind die identisch?
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M_A_D
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D »

Ich komm noch immer nicht ganz raus mit den ESB.
Hab nochmal mit dem Buch verglichen und da ist beim MOS eine Kapazität weniger.


Wie denn nun?
Du hast keine ausreichende Berechtigung, um die Dateianhänge dieses Beitrags anzusehen.
Wer von euch Hässlichen meint ich sei oberflächlich?
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M_A_D
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D »

n-Kanal:

Sättigungsbereich: Ugs > Uth Uds > Ugs-Uth
Linearer Bereich: Ugs > Uth Uds <= Ugs-Uth
Sperrbereich: Ugs < Uth
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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces »

Cgs is da vermutlich zusammengefasst mit Cgb, je nach bereich in dem er arbeitet, wie tuxianer schon sagte. mach einfach alle drei kapas rein (Cgs, Cgb, Cgd) wenn nach dem allgemeinen HF-ESB gefragt wird.

und dein NF-ESB vom MOS is falsch, es fließt ja kein strom auf der gate seite, der kurzschluss muss weg. und es sind auf der ausgangsseite, sowohl beim BJT als auch beim MOSFET, spannungsgesteuerte stromquellen, heißt: viereckiges symbol verwenden
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M_A_D
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D »

Ist das beim NF einfach nur ein Punkt bei G? o0
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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces »

ja das bleibt "offen", nach dem gate kommt doch das oxid, da kann ja kein strom fließen ;) -->guck dir nochmal den querschnitt der strukturaufbau an

(Der Drainstrom ist der einzige Klemmenstrom--> Gatespannung beeinflusst diesen)
cothem
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von cothem »

Aber nur im NF - Fall. Im HF Fall fließt schon ein Strom durch Gate, da die Kapazitäten ja leitend werden ;)
Ich irre nie. Das einzige mal, dass ich irrte, war, als ich dachte, ich irre! ;)
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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces »

ja klar, aber kein wirkstrom
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M_A_D
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D »

Viel Glück.... Mut zur Lücke =)
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sofamensch
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von sofamensch »

Viel lücke war's ...
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D »

Och, ich fand es eigentlich besser als erwartet 8-)
Wer von euch Hässlichen meint ich sei oberflächlich?
blubberblubb
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von blubberblubb »

Hey, weiss jemand ob die 1. übung am Mittwoch schon stattfindet?!
blubberblubb
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von blubberblubb »

Hey, weiss jemand ob die 1. Übung am Mittwoch schon stattfindet?!
rocky
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von rocky »

Guckt mal auf der EBE-Seite in den IST-Links, dort steht es:

Übung/Datum Übungsleiter: Dr. Herricht Übungsleiter: Dipl.-Ing. Zimmermann
1 / 23.11.11 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
2 / 30.11.11 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
3 / 14.12.12 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
4 / 21.12.11 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
5 / 18.01.12 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
6 / 01.02.12 BAR/SCHÖ/E BAR/218/U
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ThatGuy
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von ThatGuy »

Interessant. Laut der Übersicht dort findet die Vorlesung dann ja auch erst ab 27.10.2011 statt.
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