[EBE] Allgemeiner Fragenthread

tuxianer
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer » 09.02.2011 20:17

Also es gibt nicht "die" Rekombination, sondern verschiedene Rekombinationsmechanismen. Eine davon ist eben die Shockley-Read-Hall-Rekombination.
Dabei erfolgt die Rekombination sequentiell über Gitterdefekte. Das heißt, dass ein Elektron aus dem Leitungsband unter Aussendung eines Phonons in den Energiezustand des Gitterdefektes übergeht, und anschließend mit einem Loch im Valenzband rekombiniert, wobei wieder ein Phonon entsandt wird.
Neben dieser Rekombinationsart gibt es z.B. noch die strahlende Rekombination, wo das Elektron direkt mit einem Loch im Valenzband unter Aussendung eines Photons rekombiniert.

onehanded
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von onehanded » 10.02.2011 12:10

S.K.Naggsch hat geschrieben:Hi kann mir jemand die Lösung für die F7 d) bestätigen bzw. berichtigen! Einfach hier posten.

edit: hatte Drain und Source vertauscht^^
Danke schon mal
woher hast du die Lösung mit den Bereichen (ohm, sätt, sperr)?
Woran erkenne ich das in welchem Bereich das liegt?

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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces » 10.02.2011 12:52

in der aufgabenstellung ist gegeben: Uds<=0
darausfolgt, dass Source stets positiver als Drain ist, da ja Uds= Ud-Us (Masche)
aus dieser schlussfolgerung kannst du bei A1 und A2 jeweils immer S oder D angeben, Source hat dabei immer den größeren wert.
um den Bereich zu bekommen musst du Uds und Ugs berechnen (Maschensatz siehe aufgabenstellung) und dann Ugs mit Utho und Uds mit Ugs-Utho vergleichen. was welcher bereich ist > siehe vorlesung, übung, script, internet....

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von Lurzi » 10.02.2011 13:01

Weiß einer Genaueres über die Raumaufteilung morgen?

Toni D.
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von Toni D. » 10.02.2011 13:06

Freitag, 11.02.2011 14:50 Uhr 120 Minuten
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nachzulesen hier
http://www.iee.et.tu-dresden.de/iee/eb/ ... 11_ws.html

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von chaosnr1 » 10.02.2011 15:18

naggsch sei lösung is falsch!!!

muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von S.K.Naggsch » 10.02.2011 16:30

chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!

muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.

Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)

Für den der gefragt hatte!
Zuletzt geändert von S.K.Naggsch am 10.02.2011 21:06, insgesamt 1-mal geändert.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von cartman89 » 10.02.2011 16:47

Hi,
weiss einer von euch eigentlich ob die Majoritätsträgerdichte die Elektronen oder die Löcher beschreibt, oder ist es abhängig von der höheren Dichte?

mfg cartman

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von Lurzi » 10.02.2011 16:48

Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs>Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)

Für den der gefragt hatte!
Fast.
Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs < Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)

Für den der gefragt hatte!

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von morizm » 10.02.2011 17:18

cartman89 hat geschrieben:Hi,
weiss einer von euch eigentlich ob die Majoritätsträgerdichte die Elektronen oder die Löcher beschreibt, oder ist es abhängig von der höheren Dichte?

mfg cartman
im n-dotierten Bereichen sind die Elektronen die Majoritäten und die Löcher die Minoritäten.
im p-dotieren Bereichen genau andersherum!

ist immer davon abhängig was du betrachtest.

grüße

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laces
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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces » 10.02.2011 17:25

S.K.Naggsch hat geschrieben:
chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!

muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.

Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)

Für den der gefragt hatte!
der 5. bereich ist aber sättigung!

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von chaosnr1 » 10.02.2011 18:41

laces hat geschrieben:
S.K.Naggsch hat geschrieben:
chaosnr1 hat geschrieben:naggsch sei lösung is falsch!!!

muss sein:
ohmscher
sättig
ohmscher
sperr
ohmscher
stimmt hatte da was verdreht! so muss es sein.

Also die Bedingungen für einen p-kanal MOS sind:
Sperrbereich : Ugs>Vth
ohmscherbereich : Ugs<Vth und -Uds<-(Ugs-Vth)
Sättigungsbereich: Ugs<Vth und -Uds>-(Ugs-Vth)

Für den der gefragt hatte!
der 5. bereich ist aber sättigung!
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1V

Uds= -2,5

Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -(-2,5) das gilt für Ohmschen Bereich

edit:

bei mir fehlte minus, damit is meine annahme falsch... is sättigung
Zuletzt geändert von chaosnr1 am 10.02.2011 21:09, insgesamt 2-mal geändert.

th3m1tch

Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von th3m1tch » 10.02.2011 19:11

M_A_D hat geschrieben:Wir sollen doch die 8 KS-ESB von Diode, Fotodiode, BJT und MOS-FET für HF und NF können. Hat die zufällig einer mal als Übersicht? Und kann mir den Unterschied zwischen KS- und GS-ESB erklären? =)
Aber mal ehrlich, habt ihr die Großsignal-ESBs wirklich drauf? Das ist doch utopisch, die Dinger kann sich doch keiner merken. Ich bin froh, dass ich die Kleinsignalmodelle drin hab. Und in vergangenen Klausuren hab ich auch nur Aufgaben mit Kleinsignalmodellen gefunden.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von Lurzi » 10.02.2011 19:14

So isses, Kleinsignal-ESBs von BJT und MOSFET sind wohl die wichtigsten.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer » 10.02.2011 19:25

Also der P-Kanal MOSFET befindet sich doch in Sättigung, wenn U_{DS} \le U_{GS}-U_{TH0}. Somit ist der 5. Bereich Sättigung. Habt ihr einfach die Bedingungen vom N-Kanal MOSFET übernommen, und auf beide Seiten ein - gesetzt?

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces » 10.02.2011 19:28

chaosnr1 hat geschrieben:
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1V

Uds= -2,5

Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -2,5 das gilt für Ohmschen Bereich

wenn du das mit den minuszeichen machst, dann musst du aber auch -(-Uds) nehmen und das ist Uds, also -Uds>=-(Ugs-Utho) --> Sättigung

mach lieber Uds<=Ugs-Utho für Sättigung, dann kommt man nicht so schnell durcheinander

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer » 10.02.2011 19:34

laces hat geschrieben:
chaosnr1 hat geschrieben:
Ug=3V , Ua1= 0,5V , Ua2 = 3V, Uth= 1V

Uds= -2,5

Ugs = 0 ==> - (0- 1V) >= -2,5 das gilt für Ohmschen Bereich

wenn du das mit den minuszeichen machst, dann musst du aber auch -(-Uds) nehmen und das ist Uds, also -Uds>=-(Ugs-Utho) --> Sättigung
Wieso macht ihr euch das mit den Bereichen denn so umständlich. Stellt euch doch einfach die Kennlinien vor, damit ergeben sich die Bedingungen doch ganz von selbst.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces » 10.02.2011 19:38

ja das hab ich ja auch noch ergänzt, das bringt nur verwirrung! ich hab das nich angefangen ;)

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von ben0225 » 10.02.2011 21:03

Hallo, ich bin bei Aufgabe 4 b) von Wiederholungsklausur 2007. Bei der Berechnung von R_E ist i_a vernachlässigt. Aber später bei e) ist C_K vernachlässigt. Kann jemand das erklären?

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von S.K.Naggsch » 10.02.2011 21:08

Wenn jemand nach den Bereichen fragt bekommt er auch eine antwort ! :D

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von M_A_D » 10.02.2011 21:11

Hat nicht mal noch jemand eine kleine Übersicht der 8 KS-ESB?
Wer von euch Hässlichen meint ich sei oberflächlich?

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von saschihase » 10.02.2011 21:31

Habs mal zusammen geklatscht. Ist eher unschön, aber zweckmäßig. Sind alles HF-Versionen. Für NF- einfach nach den abgedruckten Regeln verfahren. Wenn irgendwem ein Fehler auffällt… Bitte melden!
Du hast keine ausreichende Berechtigung, um die Dateianhänge dieses Beitrags anzusehen.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer » 10.02.2011 22:13

ben0225 hat geschrieben:Hallo, ich bin bei Aufgabe 4 b) von Wiederholungsklausur 2007. Bei der Berechnung von R_E ist i_a vernachlässigt. Aber später bei e) ist C_K vernachlässigt. Kann jemand das erklären?
Was heißt vernachlässigt. Der Arbeitspunkt wird über Gleichstrom eingestellt für diesen sind die Kapazitäten eine Unterbrechung.
Des Weiteren sind die Koppelkondensatoren so dimensioniert, dass sie für das zu verstärkende Signal einen Kurzschluss darstellen.
saschihase hat geschrieben:Habs mal zusammen geklatscht. Ist eher unschön, aber zweckmäßig. Sind alles HF-Versionen. Für NF- einfach nach den abgedruckten Regeln verfahren. Wenn irgendwem ein Fehler auffällt… Bitte melden!
Bei der Fotodiode muss noch eine Stromquelle rein, welche für den Fotostrom steht. Und da die Fotodiode in Sperrrichtung betrieben wird kann die Diffusionskapazität vernachlässigt werden und der differenzielle Leitwert fällt weg.
Zuletzt geändert von tuxianer am 10.02.2011 22:18, insgesamt 4-mal geändert.

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von laces » 10.02.2011 22:14

weiß einer, ob beim mosfet (HF-KSE) die Cgb oder die Cds kapazität parallel geschaltet ist, in der vorlesung mit Cgb, habs aber auch schon als Cds gesehen?!

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Re: [EBE] Allgemeiner Fragenthread

Beitrag von tuxianer » 10.02.2011 22:28

Also parallel geschaltet sind Cgb und Cds nicht. Es kann höchstens je nach Beschaltung vorkommen, dass Cgs und Cgb parallel sind. Das ist der Fall, wenn du Bulk auf das Source Potential legst.
Ansonsten dominieren halt je nach Bereich, in dem der Transistor arbeitet andere Kapazitäten. Und zwar im Sperrbereich die Gate-Bulk Kapazität, im linearen die Gate-Source und die Gate-Drain Kapazitäten und im Sättigungs Bereich die Gate-Source Kapazität.

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