Klausuren

Raphael H
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Re: Klausuren

Beitrag von Raphael H » 21.02.2015 21:26

Ich habe die Klausur-Aufgaben zu Prof. Mikolajicks Vorlesung (Physikalische Grundlagen elektronischer Bauelemente) mal stichpunktartig aufgeschrieben. Verzeiht die Handschrift, ich hatte keine Lust es nochmal abzutippen.
Die Aufgaben waren der Übung sehr ähnlich gestellt, man kann sich also gut an selbiger orientieren beim Lernen.
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fizze
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Re: Klausuren

Beitrag von fizze » 11.02.2016 14:23

etknecht25 hat geschrieben:hab mal meinen lösungsvorschlag hochgeladen, Aufgabe 1 und 6 Fehlen. hatte keine lust mehr die zu texen. aber immerhin besser als nichts
Kleine Anmerkung: die hier angegebene Lösung zu Aufgabe 3 b) ist meiner Meinung nach falsch. Es müsste heißen

"Bei Vergrößerung der metallurgischen Basisweite in einem npn Transistor verringert sich bei gleicher Basis-Kollektor Dotierung die Auswirkung des EARLY Effekts"

das deckt sich auch mit einem Satz aus dem aktuellen Schröter-Skript (BJTs.pdf, Seite 18):
Je kleiner die Basisweite (und je größer die Kollektordotierung) ist, desto größer ist offensichtlich der Einfluss des Early-Effekts!
Meine Erklärung: durch vergrößern der Basisweite rekombinieren mehr Elektronen und Löcher in der Basiszone, wodurch der Kollektorstrom sinkt. und damit kann man anhand der Ausgangskennlinien (Ic über Uce) erkennen, dass der Einfluss sinkt.

Bob-die-Qualle
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Re: Klausuren

Beitrag von Bob-die-Qualle » 10.02.2017 10:18

ljan80 hat geschrieben:
etknecht25 hat geschrieben:
Aufgabe 2
unter b) erhalte ich für Em 50kV/cm - Kann das bitte nochmal jemand nachrechnen?
Besser spät, als nie: Den Wert haben wir auch raus. Die Abweichung zur Lösung vom guten etknecht könnte daran liegen, dass er ja mit (n_i)^2 gerechnet hat und das vielleicht auch für N_A*N_D eingesetzt hat, obwohl man das hier eigentlich nicht machen kann! Die Aufgabe dreht sich ja um einen pn-Übergang, da gilt (n_i)^2=N_A*N_D nicht. Hast ja nicht umsonst in a) eine andere Formel für N_D bestimmt^^

lomancer
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Re: Klausuren

Beitrag von lomancer » 04.02.2018 10:37

Weisst jemand welche Hilfsmittel darf man waerend Klausur mitbringen? Die von Professor gegebene Formelsammlung ist vielleicht nicht so vollstandig.

SatyrNrOne
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Re: Klausuren

Beitrag von SatyrNrOne » 04.02.2018 12:09

meines Erachtens nach nur diese bescheidene Formelsammlung
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Gong_Wendi
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Re: Klausuren

Beitrag von Gong_Wendi » 05.02.2018 13:31

hab eine Frage:

Klausur 2012 Aufgabe 6 c2) 3. warum ist U_GSA=U_G+U_RS ? Meiner Meinung nach soll es U_G-U_RS sein...

im anderen Wort: wenn Ugs auszurechnen ist, ist es gleich [phi g]-[phi s] oder umgekehrt ???

123123123
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Re: Klausuren

Beitrag von 123123123 » 27.01.2019 15:36

Kleines Gedankenprotokoll bzw. Stichwortsammlung zur Klausur WS 2017/2018:

Nr.1 : Poisson Aufgabe wie 2013/14 mit den selben Diagrammen
Nr.2 : Diode Großsingnal ESB + Parameter bestimmen
Nr.3 : Textaufgabe Earlyeffekt wie Nr.3 a 2013/14; Halbleiterwiderstand; MIS Struktur- Kapazitäten ESB + Rechnung, starke Inversion
Nr.4 : Aufgabe ähnlich ZF1/ ZF3 aus dem MIS/MOS Skript
Nr.5 : Aufgabe zur Dotierung wie Nr.4 2013/14
Nr.6 : Aufgabe zum npn- BJT mit ESB, Frequenzdiagramm der Stromverstärkung

Wie ihr seht habt ihr für relativ wenig Zeit relativ viel zu tun. Die Aufgabe zur Poisson Gl. und Dotierung müssen sitzen, dann braucht ihr noch ein paar Punkte hier und da zum bestehen.

SatyrNrOne
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Re: Klausuren

Beitrag von SatyrNrOne » 08.02.2019 13:42

Auf deutsch meint Kapitän Maxi, dass die Klausur dieses Jahr komplett neu konzipiert wurde. Sie soll wohl mehr Aufgaben enthalten, aber diese sollen dafür nicht zusammenhängend sein, so dass leichter Punkte zu verdienen sind.

FolterKnecht
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Re: Klausuren

Beitrag von FolterKnecht » 10.07.2019 12:23

Hat jemand zufällig die neue Klausur von letzten Semester?

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