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Hans Oberlander
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Beitrag von Hans Oberlander » 17.05.2008 18:10

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spinnn
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Re: Klausuren

Beitrag von spinnn » 05.02.2009 11:31

Probeklausur WS08/09
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drjones192
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Beitrag von drjones192 » 09.02.2009 14:46

... Hier nochmals gedreht und optimiert als Pdf - danke an den mutigen Ersteller!
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Sternquell
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Re: Klausuren

Beitrag von Sternquell » 07.02.2010 11:09

Sagt mal kann einer die Probeklausur von diesem Jahr bitte online stellen ich war nicht zu den Vorlesungen und Übungen, da ich Nachschreibe und da andere Vorlesungen hatte oder ist es eine Probeklausur die schon drin ist?Ist zwar mehr für Mikroelektronik aber vielleicht hilft dem einen oder anderen meine Kleine Formelergänzung
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Locutus
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Re: Klausuren

Beitrag von Locutus » 07.02.2010 14:09

soweit ich weis gabs dieses jahr gar keine probeklausur. zumindest wurde bei uns weder in den übungen noch in der vorlesung eine probeklausur erwähnt. ;)


Edit: ich hab mal die hier vorhandene Wiederholer-Klausur abgetippt, da das an mancher stelle doch etwas schlecht lesbar - zumindest aufm ausdruck - war.

vielleicht kann damit ja auch wer anders noch mehr anfangen. ;)
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Re: Klausuren

Beitrag von orlz22 » 09.02.2010 17:21

das gehört hier einfach rein
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rudimentmathe
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Re: Klausuren

Beitrag von rudimentmathe » 11.01.2011 11:20

So, hier mal meine Erinnerungen an die Whl-Klausur 2010. Irgendwo musste man da auch noch die Bereichsbedingungen vom Mos-Transistor nennen und es gab eine Schicke Rechnenaufgabe mit einem Mostransistor. Außerdem noch die Detektorschaltung einer Photodiode Zeichnen und den optisch erzeugten Strom Iop aus ein paar gegebenem Werten bestimmen. Dann noch eine absolute Todesaufgabe mit schlimmen Differntialgleichungen und irgendwelchen Temperaturabhängigkeiten. Falls sich da jemand noch genau an die Aufgabenstellung erinnert: Bitte mir zumailen, dann kann ich die Klausur komplettieren.
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ThatGuy
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Re: Klausuren

Beitrag von ThatGuy » 30.07.2012 08:56

Aufgaben und unvollständige Musterlösung der Semesterklausur aus dem WS2011/12
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 27.01.2013 00:55

Ich habe auf Grundlage der Klausur von 2012 mal ein PDF erstellt, das einen Eindruck vermittelt, welche Bereiche grob abgefragt wurden bzw. welche man (meiner Meinung nach) auf jeden Fall drauf haben sollte. Dabei habe ich mich auf ein Minimum beschränkt, aber die wichtigsten Graphen und Ersatzschaltbilder zusammengetragen. Es ist nämlich ziemlich lästig, wie ich feststellen musste, sich das im Skript alles zusammenzusuchen. ;)
Die ganzen Gleichungen, die man noch alle Kennen muss, sind hier nicht vertreten. Für Anregungen zur Erweiterung und Ergänzungen bin ich offen, da es bei Weitem nicht vollständig ist. Vielleicht hilft es dem ein oder anderen aber trotzdem schon. :)


EDIT:
Update 27.01.13: Ausgangkennlinienfelder und Querschnitte der Transistortypen hinzugefügt
Update 28.01.13: ein paar Formeln und wenig anderes hinzugefügt (aus 1. Übung!)
Update 31.01.13: Ergänzungen zu pn-Übergang und Bipolartransistor
Update 01.02.13: Korrektur des Massenwirkungsgesetz (DANKE für den Hinweis)
Update 03.02.13: Bipolartransistor Formeln hinzugefügt, MOSFET Betriebsbereiche, weitere Kurzinfos zum Verständnis ergänzt (MOSFET, Bipolartransistor)

Das war das letzte Update, mehr kommt vermutlich nicht dazu! 8-) (außer jemand meldet noch Fehler!)
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 28.01.2013 11:53

Hier mal mein Lösungsvorschlag zur fehlenden Lösung der Aufgabe 5 von der Klausur 2012. Keine Ahnung ob das wirklich stimmt, scheint mir aber das Logischste zu sein. Oder hat jemand da was anderes, was eher stimmt? Für die fehlende Angabe von Uds habe ich leider auch nichts.
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Re: Klausuren

Beitrag von ET_Paule » 01.02.2013 16:46

Die Lernübersicht scheint sehr hilfreich zu sein.
Aber es hat sich ein kleiner Fehler eingeschlichen. Das Massenwirkungsgesetz sollte lauten: n*p=ni²

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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 05.02.2013 12:13

Klausur 2012 - Aufgabe 6 c2)

Ich komme auf folgende Lösungen (aus Maschen), denn mit den Dranstromgleichungen kann man da doch nichts rechnen, da kein k' gegeben ist, oder???

Ida = (Udd-Ud)/Rd = 0,5mA
Ig = 0A (aus der Musterlösung)
Ugsa = Urs + Ug = 0,5V
Usba = 0,5V (da über Rs 0,5V abfallen, und im Ersatzschaltbild ansonsten gilt: B=S)
Uth = Uth0 + [gamma]*(sqrt(phi - Ubs) - sqrt(phi)) = -0,9 V
Udsa = Ud - Urs = 2V

Unter Abgleich der Bedingungen, folgt daraus, dass der Transistor im Sättigungsbereich arbeitet.

Ich weiß nicht, ob das so hinhaut, aber vielleicht kann mich ja dann einer verbessern.


Edit:
Nach einer Korrespondenz mit einem User, kommen wir auf den geänderten Wert von Ugsa, wissen allerdings nicht, ob das stimmt. Hat überhaupt einer eine sichere Ahnung, was darauskommen muss? :D
Zuletzt geändert von Master am 07.02.2013 10:27, insgesamt 1-mal geändert.
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Re: Klausuren

Beitrag von canhamo35 » 09.02.2013 12:36

Master hat geschrieben:Hier mal mein Lösungsvorschlag zur fehlenden Lösung der Aufgabe 5 von der Klausur 2012. Keine Ahnung ob das wirklich stimmt, scheint mir aber das Logischste zu sein. Oder hat jemand da was anderes, was eher stimmt? Für die fehlende Angabe von Uds habe ich leider auch nichts.
Also ich glaub dein Ida stimmt nicht ganz. Da ist ja noch ein Knoten hinter dem Widerstand. Da müsste eigetlich noch etwas abfließen. Andererseits ist Url als einzige Spannung gegeben...

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Master
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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 09.02.2013 16:52

Ich habe die Aufgabe 6 nochmal gerechnet und meine Lösungen mal eingescannt. Habe jetzt einen anderen Wert für Uth. Habe versucht, die Rechnung nachvollziehbar zu machen.
Keine Ahnung, ob das jetzt so stimmt.

Beste Grüße
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Re: Klausuren

Beitrag von Horus » 12.02.2013 10:07

canhamo35 hat geschrieben:
Master hat geschrieben:Hier mal mein Lösungsvorschlag zur fehlenden Lösung der Aufgabe 5 von der Klausur 2012. Keine Ahnung ob das wirklich stimmt, scheint mir aber das Logischste zu sein. Oder hat jemand da was anderes, was eher stimmt? Für die fehlende Angabe von Uds habe ich leider auch nichts.
Also ich glaub dein Ida stimmt nicht ganz. Da ist ja noch ein Knoten hinter dem Widerstand. Da müsste eigetlich noch etwas abfließen. Andererseits ist Url als einzige Spannung gegeben...
gehen wir aber nicht davon aus, dass über das Gate kein Strom abfließen kann?

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Re: Klausuren

Beitrag von Master » 12.02.2013 22:24

Ich habe jetzt mal die Einzellösungen zu 5. und 6. mit der unvollständigen Lösung von ThatGuy kombiniert. Die geänderten Seiten sind leider etwas unscharf, aber noch lesbar, da ich leider kein Latex nutze. Die Ersatzschaltbilder sind jetzt auch darin enthalten.
Bei Aufgabe 3g bin ich allerdings der Meinung, dass es "kleiner Null" anstatt "größer Null" heißen muss, da es auch so im Skript steht, oder? Habe es jetzt hier allerdings NICHT korrigiert, da ich mir da auch nicht sicher bin.

Ansonsten ist es immer noch nicht sicher, ob die Lösungen zu 5. und 6. auch wirklich stimmen, insbesondere bei der 6. Aufgabe.

Viele Grüße
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schamhaarpirat
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Re: Klausuren

Beitrag von schamhaarpirat » 12.02.2013 23:46

Hallo Master,
Danke für die Zusammenstellung der Lösungen!
Zugegeben, etwas spät dafür, bin nur grad über Aufgabe 5b) das Ersatzschaltbild des MOSTransistors gestolpert.
Scheint mir irgendwie nicht ganz plausibel im Ersatzschaltbild, welches im Skript gegeben war, einfach nur den Buld-Anschluss mit zugehörigen Kapazitäten zu entfernen. In der Schaltung sind Source und Bulk kurzgeschlossen, so würde ich die Bulk-Anschluss Klemme wegnehmen und die Kapazität Cbs durch einen Kurzschluss ersetzen.
Jetzt treten aber noch zwischen S und G bzw. S und D noch die Kapazitäten Cgb und Cbd auf, welche jeweils zu Cgs oder Cbd parallel geschalten sind, sich also folglich addieren müssten. Oder sollten diese bspw. bei Cgs in deinem Ersatzschaltbild schon inbegriffen sein? :?:

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Hans Oberlander
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Re: Klausuren

Beitrag von Hans Oberlander » 18.02.2014 19:00

Diskussionen bitte im Diskussionsforum :)
viewtopic.php?f=36&t=11861&p=90652#p90652

JoVaRi
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Re: Klausuren

Beitrag von JoVaRi » 20.02.2014 23:10

Hier die Klausur vom 19.02.2014 (WS13/14). Fehler könnt ihr mir gerne dann per pn/Mail schicken. Alle Angaben ohne Gewähr; Lösungen folgen vielleicht noch.
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Anti-Snak
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Re: Klausuren

Beitrag von Anti-Snak » 07.02.2015 10:06

Die offizielle Lösung der Probeklausur aus dem WS 14/15.

*Edit: es gab eine Korrektur der Lösungen, in der Aufgabe 3. Dort wurde in der b) und c) mit einem
anderen ni berechnet.
Desweiteren scheint noch ein Fehler in der Lösung der Aufgabe 6 b) zu sein. Dort hauen teilweise die
Ergebnisse nicht hin.

**Edit 2: Auf Nachfrage, hier sind die Zugangsdaten aus dem WS 2014 (Text in Dateianhänge)
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Zuletzt geändert von Anti-Snak am 30.06.2015 20:07, insgesamt 1-mal geändert.

etknecht25
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Re: Klausuren

Beitrag von etknecht25 » 10.02.2015 13:52

hab mal meinen lösungsvorschlag hochgeladen, Aufgabe 1 und 6 Fehlen. hatte keine lust mehr die zu texen. aber immerhin besser als nichts
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leuchtturm
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Re: Klausuren

Beitrag von leuchtturm » 10.02.2015 14:47

Danke erstmal fürs Hochladen!

Ich hab paar Ergebnisse anders:

Aufgabe 2:
a) bei mir kommt da 5,07 * 10^17 raus ;)
dementsprechend habe ich dort in den restlichen Ergebnissen auch andere Werte.

Aufgabe 3:
a) Ich bin der Meinung der Kollektorstrom wird größer, weil der Early-Effekt stärker wird, wenn die Basisweite kleiner wird.
b) demzufolge wird der Early-Effekt hier schwächer.

Aufgabe 4:
d), e) Ich glaube du hast für ni den alten Wert benutzt (1.5e10) und nicht den neuen Wert (1.07e10). Rechnung ansich sind richtig aber für die Minoritätsladungsträger erhalte ich dann jeweils:
p = 25442
n = 7633

Vielleicht kann das noch jemand bestätigen oder widerlegen ;)

etknecht25
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Re: Klausuren

Beitrag von etknecht25 » 10.02.2015 15:16

bei der 2 und bei der 4 hab ich mit dem alten wert für n_i gerechnet. erklärt wahrscheinlich die abweichung. die formeln müssten aber stimmen. und bei 3b) hast du recht. der early effekt wird schwächer. danke für die hinweise

jklmnn
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Re: Klausuren

Beitrag von jklmnn » 10.02.2015 15:35

Ich hab hier noch die leere Probeklausur 2015 eingescannt.
Du hast keine ausreichende Berechtigung, um die Dateianhänge dieses Beitrags anzusehen.

ljan80
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Re: Klausuren

Beitrag von ljan80 » 10.02.2015 21:08

etknecht25 hat geschrieben:hab mal meinen lösungsvorschlag hochgeladen, Aufgabe 1 und 6 Fehlen. hatte keine lust mehr die zu texen. aber immerhin besser als nichts
Einige Anmerkungen zu dieser Lösung:

Aufgabe 2
unter b) erhalte ich für Em 50kV/cm - Kann das bitte nochmal jemand nachrechnen?
unter c) hast du glaube ich die Ergebnisse vertauscht -> Denn nach N_D > N_A müsste auch x_p > x_n gelten..

Aufgabe 3
in f-1) stimmt irgendetwas nicht. Beim p-Kanal Verarmung galt doch eigentlich U_DS <= 0, demnach wären die Eintragungen in der Tabelle auch richtig, nur die Werte für U_DS sind dann jeweils negativ.
Für die Betriebsbereiche ergäbe sich dann: Sättigung - Sperrbereich - Sättigung - Linear
[Was sagt der Rest dazu?]

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