Klausuren

[Raphael H]

Ich habe die Klausur-Aufgaben zu Prof. Mikolajicks Vorlesung (Physikalische Grundlagen elektronischer Bauelemente) mal stichpunktartig aufgeschrieben. Verzeiht die Handschrift, ich hatte keine Lust es nochmal abzutippen.
Die Aufgaben waren der Übung sehr ähnlich gestellt, man kann sich also gut an selbiger orientieren beim Lernen.

[fizze]

hab mal meinen lösungsvorschlag hochgeladen, Aufgabe 1 und 6 Fehlen. hatte keine lust mehr die zu texen. aber immerhin besser als nichts

Kleine Anmerkung: die hier angegebene Lösung zu Aufgabe 3 b) ist meiner Meinung nach falsch. Es müsste heißen

"Bei Vergrößerung der metallurgischen Basisweite in einem npn Transistor verringert sich bei gleicher Basis-Kollektor Dotierung die Auswirkung des EARLY Effekts"

das deckt sich auch mit einem Satz aus dem aktuellen Schröter-Skript (BJTs.pdf, Seite 18):

Je kleiner die Basisweite (und je größer die Kollektordotierung) ist, desto größer ist offensichtlich der Einfluss des Early-Effekts!

Meine Erklärung: durch vergrößern der Basisweite rekombinieren mehr Elektronen und Löcher in der Basiszone, wodurch der Kollektorstrom sinkt. und damit kann man anhand der Ausgangskennlinien (Ic über Uce) erkennen, dass der Einfluss sinkt.

[Bob-die-Qualle]

Aufgabe 2
unter b) erhalte ich für Em 50kV/cm - Kann das bitte nochmal jemand nachrechnen?

Besser spät, als nie: Den Wert haben wir auch raus. Die Abweichung zur Lösung vom guten etknecht könnte daran liegen, dass er ja mit (n_i)^2 gerechnet hat und das vielleicht auch für N_A*N_D eingesetzt hat, obwohl man das hier eigentlich nicht machen kann! Die Aufgabe dreht sich ja um einen pn-Übergang, da gilt (n_i)^2=N_A*N_D nicht. Hast ja nicht umsonst in a) eine andere Formel für N_D bestimmt^^

[SatyrNrOne]

meines Erachtens nach nur diese bescheidene Formelsammlung

[Gong_Wendi]

hab eine Frage:

Klausur 2012 Aufgabe 6 c2) 3. warum ist U_GSA=U_G+U_RS ? Meiner Meinung nach soll es U_G-U_RS sein...

im anderen Wort: wenn Ugs auszurechnen ist, ist es gleich [phi g]-[phi s] oder umgekehrt ???

[123123123]

Kleines Gedankenprotokoll bzw. Stichwortsammlung zur Klausur WS 2017/2018:

Nr.1 : Poisson Aufgabe wie 2013/14 mit den selben Diagrammen
Nr.2 : Diode Großsingnal ESB + Parameter bestimmen
Nr.3 : Textaufgabe Earlyeffekt wie Nr.3 a 2013/14; Halbleiterwiderstand; MIS Struktur- Kapazitäten ESB + Rechnung, starke Inversion
Nr.4 : Aufgabe ähnlich ZF1/ ZF3 aus dem MIS/MOS Skript
Nr.5 : Aufgabe zur Dotierung wie Nr.4 2013/14
Nr.6 : Aufgabe zum npn- BJT mit ESB, Frequenzdiagramm der Stromverstärkung

Wie ihr seht habt ihr für relativ wenig Zeit relativ viel zu tun. Die Aufgabe zur Poisson Gl. und Dotierung müssen sitzen, dann braucht ihr noch ein paar Punkte hier und da zum bestehen.

[SatyrNrOne]

Auf deutsch meint Kapitän Maxi, dass die Klausur dieses Jahr komplett neu konzipiert wurde. Sie soll wohl mehr Aufgaben enthalten, aber diese sollen dafür nicht zusammenhängend sein, so dass leichter Punkte zu verdienen sind.

[daniel.971]

Hat jemand zufällig die neue Klausur von letzten Semester?

Also ich kann dir nur ein paar Stichpunkte geben, was im WS18/19 dran kam:
- Allgemeine Verständniss Fragen (u.a. Early Effekt in Zusammenhang mit Basislänge)
- Ein paar kleine Rechenaufgaben, wie Berechnung von Elektronen/Löcherkonzentration im Halbleiter
- Natürlich wie seit 100 Jahren: Die Poisson Gleichung. Die D1 ist eine sehr gute Vorbereitung.
- Ansätze aufstellen für die Berechnung der Sperrschicht- und Diffusionskapazität
- Werte aus Diagrammen ablesen, ähnlich der D5, nur mit anderer Rechenaufgabe
- Kleinsignalersatzschaltbild BJT, Schaltsymbole BJT, MOS (für PNP und NPN)
- Eine Aufgabe zum MOS, fast identisch zur F5

Wenn man die Übungsaufgaben größtenteils selbst rechnen kann und versteht, was man da tut (Das ist vor allem wichtig), war es auf jeden Fall machbar.

[Zuluhu]

Probeklausur WS1920 von Prof. Schröter mit meinen Lösungen.
Ist sehr ähnlich zur Klausur von 2012.

[korbi.sch]

Klausur Elektronische Bauelemente und Mikrotechnologien WiSe 2017/18

Mikrotechnologien:

1) Aufgabe
a) Strukturierungsvarianten additiv/substraktiv
b) Materialien Struktur zuordnen (amorph, polykristallin, monokristallin)
c) DIES berechnen

2) Aufgabe
a) CVD Prozess Tmitte=720C, Trand=700C, E=1,8eV, Filmdicke= 250nm, Welcherprozess? Prozesskonstante, Dicke außen
b)Depositionsrate
c) Schichtdicke, NonUniformity


3) Aufgabe (Klemmenbild)
a) Polysiliziumfilm Schichtwiderstand Rs=40 Ohm/square, Dicke 250nm, Spezifischen Widerstand berechnen, Wo Strom Wo Spannungsmessung?
b)R=1,2 kOhm, L=15um, Breite der Leiterbahn? Wo Strom wo Spannungsmessung?

4) Aufgabe Millersche Indizes
a) (123) Zeichnen
b) Winkel zur xy-Ebene

5) Aufgabe Grafik Prozessschritte
a) Prozessfluss
b) PVD/CVD
c) Verfahren zum Prozessfluss von 2um Schicht
d) Bestandteile Photolack
e) Entwicklung vom Lack?
f) Ätzverfahren?
g) CAR-Lack
h) Lackdicke in um? Lackmaske in um? Selektivität = 4,5

6) Aufgabe
a) Depth of Focus
b) 4 Pattern enhancement Verfahren
c) CD-Fakten?
d) Verdopplung der kleinstmöglichen Strukturweite?

7) Aufgabe
a) Thermische Oxidation
b) Ätzprozess
c) Oxiddicke Vorderseite nach Oxidation und Ätzen
d) Intinsischer Stress
e) Biegung

8) Aufgabe Dotierprozesse
3 Diagramme sind gegeben.

9) Abkürzungen



Bauelemente:

1) Aufgabe Integration Ladungsdichte/E-Feld/Potential/UD
a)Integrationsgrenzen und Zeichnen
b) Integration E-Felder
c) E-Felder diagramme Zeichnen, U Diffusionsspannung einzeichnen, qualitativer Potentialverlauf

2) Aufgabe Diode
a) Großsignalersatzschaltbild
b) m, Is, Rs berechnen Ut=25,9mV,
Diagramm Ida / Uak

3) Aufgabe MOS Transistor
a) Sättigungsbereich und linearen Bereich in Kennlinie eintragen Id zu UDS, Graph UGS
b) größen berechnen, keine Formeln aus der Formelsammlung

4) Aufgabe Dotierung
a) P-Dotierung Konzentration, welcher Halbleiter liegt vor?
b) Welcher Halbleiter liegt nach P und N-Dotierung vor? Berechnung

5) Aufgabe Bändermodell P-MIS Struktur (Gab zu UFB)
a) Betriebsfall aus Skizze MIS-Struktur ableiten
Weitere Fragen?
b)

6) Aufgabe Bipolartransistor
a) HF- Kleinsignal Ersatztschaltbild Emitter Betriebsfall
b) gm, Bf, CBE, CBC, berechnen
c) Transitfrequenz aus
d) |Beta f| zeichnen, fb, ft, Transitfequenz in Diagramm einzeichnen.